Samsung on suostunut Nvidian pyyntöön valmistaa osa yhtiön räätälöidystä HBM4E-laajakaistamuistista, jota markkinoidaan NVHBM-nimellä, TSMC:n 3 nanometrin prosessilla.

Nvidian pyynnön laajuus ja NVHBM:n rooli

Nvidia pyysi kolmea pääasiallista HBM-toimittajaansa valmistamaan osan muistikomponenteista TSMC:n 3 nm:n litografialla. Tavoitteena on varmistaa yhtenäinen suorituskyky ja yksinkertaistaa toimittajien välistä validointia. Kyseessä ovat räätälöidyt HBM4E-muistit, joita Nvidia brändää NVHBM-nimellä ja jotka on suunnattu sen tekoälyinfrastruktuuriin.

  • Micron
  • SK hynix
  • Samsung

Sirulevyvalmistuksen jakautuminen ja Samsungin oma prosessi

Vaikka osa NVHBM:n sirulevyistä valmistetaan TSMC:n 3 nm:n prosessilla, muistipinojen muut osat valmistetaan Samsungin omissa tuotantolaitoksissa yhtiön kuudennen sukupolven litografialla, eli 1c-prosessilla. Samsung on aiemmin tehnyt TSMC:n kanssa yhteistyötä piirien paketoinnissa, mutta Samsungin suunnittelemien muistien sirulevyvalmistuksen siirtyminen TSMC:n vastuulle on yhtiön tuotantohistoriassa ennennäkemätöntä.