Artikkeli

Samsung aloitti HBM4E-muistin näytesaannon laajasti

Samsung on alkanut toimittaa HBM4E-muistin näytteitä: 12-kerroksinen ratkaisu lupaa noin 20 % enemmän suorituskykyä ja parannetun lämmönhallinnan. Valmistuksen skaalautuminen tukee tekoälymarkkinoiden kasvavaa kysyntää.

Samsung aloitti HBM4E-muistin näytesaannon laajasti
Lukuaika: 2 Minuuttia
Seuraa Googlessa

Samsung otti hiljaa mutta päättäväisesti johdon: yhtiö on alkanut toimittaa seitsemännen sukupolven korkeakaistamuistinsa HBM4E:n näytteitä suurille asiakkaille useita kuukausia sen jälkeen, kun se aloitti HBM4:n toimitukset johtaville tekoälylaitteiden valmistajille.

Nopeutusparannukset ovat konkreettisia. Uusi HBM4E käyttää 12-kerroksista pinoa, joka tarjoaa noin 20 % paremman suorituskyvyn ja noin 16 % paremman energiatehokkuuden verrattuna HBM4:ään. Jokaisen nastan signalisointi on luokiteltu 14 Gbps:iin, ja järjestelmässä on pelivaraa työntää kohti 16 Gbps:ia, mikä vastaa kokonaista kaistanleveyttä noin 3,6 TB/s.

Näiden lukujen taustalla on insinöörityötä. Samsung yhdisti kuudennen sukupolven 10 nm -luokan DRAM-prosessinsa (1c) Samsung Foundryn 4 nm -logiikkapohjalevylle. Tuloksena ovat paremmat valmistusmäärät ja älykkäämpi lämmönhallinta. Samsungin mukaan lämmönvastus on parantunut yli 14 %, pieni mutta merkittävä luku, jolla on todellista merkitystä, kun muisti sijaitsee erittäin tehokkaiden kiihdyttimien lähellä.

Kapasiteettivaihtoehdot alkavat 48 Gt:n 12-kerroksisella paketilla, joka on noin 30 % tiheämpi kuin tavallinen HBM4-pino. Tuotekartassa on myöhemmin 8-kerroksinen 32 Gt:n osa ja 16-kerroksinen 64 Gt:n moduuli, mikä antaa järjestelmäsuunnittelijoille enemmän valinnanmahdollisuuksia tehon, tiheyden ja kustannusten suhteen.

Miksi insinöörien pitäisi välittää? Koska jokainen prosentti nopeudessa tai tehonkulutuksessa kasautuu suurten mallien ja laajojen klustereiden tapauksessa. Nopeammat nastakohtaiset siirtonopeudet ja parempi lämmöntoleranssi helpottavat integraatio-ongelmia GPU- ja kiihdytinvalmistajille, jotka pyrkivät puristamaan enemmän koulutusläpäisyä rajallisiin telineisiin ja budjetteihin.

Samsungin muistitiimi esittelee HBM4E:n HBM4:n vauhdin jatkajana ja korjauksena aiempiin HBM3E-julkaisun ongelmiin. Yhtiön mukaan asiakaspalaute HBM4:stä on ollut vahvaa ja ennakoivat tehdasinvestoinnit tuottavat tulosta, kun se kasvattaa tarjontaa tekoälymarkkinoille.

Näytteet merkitsevät yhtä asiaa: validointisyklit ovat alkaneet. Markkinat seuraavat, mitkä kiihdyttimet ottavat HBM4E:n käyttöön ja kuinka nopeasti korkeammat nopeudet ja suuremmat pinot näkyvät todellisissa koulutus- ja inferenssikuormissa. Käyttöönotto on todellinen mittari sille, muovaako HBM4E muisto-odotuksia seuraavassa tekoälylaitteiden aallossa.

Lähdesammobile.com
Sanna Virtanen

"Olen tietoturva-asiantuntija ja seuraan kyberturvallisuuden trendejä. Diginissä jaan vinkkejä ja uutisia, joilla pysyt turvassa digitaalisessa maailmassa."

Jätä kommentti

Kommentit

Ei vielä kommentteja. Ole ensimmäinen.