Samsung kehittää kolmea erikoistunutta Z-NAND-muistiversiota: Z-NAND-O:ta, Z-NAND-T:tä ja Z-NAND-I:tä. Kukin niistä on suunnattu erilaisiin tekoälyinfrastruktuurin työkuormiin.
ZDNet kertoi hankkeesta ja julkaisi mallikuvan Z-NAND-O:sta, joka esiteltiin yhdysvaltalaisessa muistialan tapahtumassa elokuussa. Alkuperäinen juttu julkaistiin 12. lokakuuta 2026, ja sen kirjoittajaksi on merkitty Min-jun Kim.
Z-NAND-O hyödyntää TSV-läpivientejä (through-silicon via) NAND-piirien pinoamiseen pystysuunnassa neljään tai kahdeksaan kerrokseen. Samsungin mukaan Z-NAND-O pyrkii parantamaan tiedonsiirtonopeutta ja energiatehokkuutta mobiililaitteiden ja muiden verkkoon kytkettyjen laitteiden laitekohtaisissa tekoälysovelluksissa.
Z-NAND-T painottaa läpäisykykyä ja kaistanleveyttä. Se on suunnattu suorituskykyisiin tekoälydatakeskuksiin, joissa suuria tietomääriä on siirrettävä tehokkaasti.
Z-NAND-I puolestaan painottaa IOPS-suorituskykyä eli sitä, kuinka monta yksittäistä luku- ja kirjoitusoperaatiota muisti pystyy käsittelemään sekunnissa.
Samsung ei ole virallisesti julkistanut koko tuoteperhettä, teknisiä tietoja tai näiden kolmen version julkaisuaikataulua.
Kolmijakoinen lähestymistapa viittaa siihen, että Samsung aikoo räätälöidä NAND-teknologiaansa erityyppisiin tekoälytyökuormiin yhden yleiskäyttöisen ratkaisun sijaan.
SK Hynix noudattaa vastaavaa strategiaa AI-NAND-perheellään, johon kuuluvat suorituskykyyn suunnattu AIN P, tallennustiheyteen keskittyvä AIN D ja kaistanleveyttä painottava AIN B.
Tekoälyinfrastruktuurin kasvaessa räätälöidyn NAND-muistin merkitys voi korostua perinteisten muisti- ja tallennusratkaisujen rinnalla.
"Olen tietoturva-asiantuntija ja seuraan kyberturvallisuuden trendejä. Diginissä jaan vinkkejä ja uutisia, joilla pysyt turvassa digitaalisessa maailmassa."
Keskustelu
Jätä kommentti
Kommentit
Ei vielä kommentteja. Ole ensimmäinen.